2025年未來(lái)存儲(chǔ)峰會(huì)（原美國(guó)閃存峰會(huì)FMS 2025）上，超過60%的主題演講與專家小組聚焦AI，強(qiáng)調(diào)內(nèi)存和存儲(chǔ)在加速AI開發(fā)與部署中的核心地位。未來(lái)，AI不是計(jì)算優(yōu)先，而是內(nèi)存和存儲(chǔ)優(yōu)先，AI時(shí)代的基礎(chǔ)設(shè)施將圍繞內(nèi)存和存儲(chǔ)展開并重構(gòu)。也就是把存儲(chǔ)拆開來(lái)，先內(nèi)存，再存儲(chǔ)為AI時(shí)代基礎(chǔ)設(shè)施新的風(fēng)向標(biāo)，AI主權(quán)之戰(zhàn)已然打響。

CXL 3.1來(lái)了

在會(huì)上，XConn與可計(jì)算存儲(chǔ)創(chuàng)新企業(yè)ScaleFlux聯(lián)合展示了CXL 3.1交換機(jī)和ScaleFlux MC500 CXL 3.1 Type 3內(nèi)存控制器的互操作性與性能優(yōu)化。這一聯(lián)合方案基于AMD平臺(tái)，強(qiáng)調(diào)CXL 3.1在真實(shí)系統(tǒng)中的兼容性與生產(chǎn)就緒度。

演示重點(diǎn)聚焦“內(nèi)存池化”和“內(nèi)存分解”兩大方向，契合AI大模型訓(xùn)練、推理及HPC等熱點(diǎn)應(yīng)用場(chǎng)景的趨勢(shì)。ScaleFlux新發(fā)布的MC500控制器采用突破性的列表解碼ECC架構(gòu)，并配備可商用級(jí)別固件，具備強(qiáng)大的RAS能力（可靠性、可用性與可維護(hù)性）。與XConn交換機(jī)協(xié)同運(yùn)作后，該系統(tǒng)顯著優(yōu)化了CXL鏈路效率，提升了系統(tǒng)級(jí)DRAM性能和可管理性。

XConn還在會(huì)上進(jìn)行了端到端的PCIe 6.0技術(shù)演示，推動(dòng)業(yè)界對(duì)新一代內(nèi)存互連架構(gòu)的理解。

NEO半導(dǎo)體：發(fā)布顛覆性X-HBM架構(gòu)

NEO半導(dǎo)體在會(huì)上正式發(fā)布全球首款為AI芯片設(shè)計(jì)的超高帶寬內(nèi)存架構(gòu)X-HBM（Extreme High Bandwidth Memory）。該架構(gòu)采用32Kbit數(shù)據(jù)總線與高達(dá)512Gbit的單芯片容量，在帶寬和密度上相較HBM3分別提升了16倍與10倍，全面超越正在研發(fā)的HBM5與HBM8，打破行業(yè)原有技術(shù)節(jié)奏，形成“跨代式跳躍”。

X-HBM基于NEO自研的3D X-DRAM架構(gòu)，突破傳統(tǒng)DRAM在帶寬、堆疊效率與功耗控制方面的限制，支持GPU與內(nèi)存之間更高效的數(shù)據(jù)通道，顯著提升系統(tǒng)性能與能效比。NEO指出，當(dāng)前AI芯片的性能釋放瓶頸主要在內(nèi)存，而非計(jì)算單元，X-HBM正是為解決這一問題而誕生。

未來(lái)，X-HBM將為GPU廠商、AI芯片設(shè)計(jì)企業(yè)與云基礎(chǔ)設(shè)施服務(wù)商提供更加快速、節(jié)能且可持續(xù)的計(jì)算平臺(tái)。

閃迪：?jiǎn)伪P256TB，超大容量SSD來(lái)了

閃迪在會(huì)上發(fā)布新一代企業(yè)級(jí)SSD——UltraQLC SN670，容量高達(dá)256TB，成為當(dāng)前已官宣的全球最大單盤容量SSD。該產(chǎn)品計(jì)劃2026年上半年上市。

SN670采用閃迪與鎧俠聯(lián)合研發(fā)的218層BiCS 3D QLC NAND，單顆Die容量達(dá)到2Tb（256GB），并通過CBA（CMOS直接鍵合陣列）技術(shù)大幅提升堆疊密度與能效，輔以定制控制器和PCIe 5.0接口，主要面向AI、大數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)湖與模型預(yù)處理等重寫入/讀取場(chǎng)景。

與目前容量最大的鎧俠LC9（245.76TB）相比，SN670提升超過10TB，體現(xiàn)閃迪在堆疊技術(shù)、封裝工藝與系統(tǒng)架構(gòu)上的領(lǐng)先。

該產(chǎn)品還具備多項(xiàng)創(chuàng)新特性：

• 無(wú)SLC緩存，直接寫入QLC，適合低功耗的數(shù)據(jù)湖與歸檔AI系統(tǒng)；
• 動(dòng)態(tài)頻率調(diào)節(jié)技術(shù)，可在相同功耗下提升約10%性能；
• 數(shù)據(jù)保持預(yù)測(cè)機(jī)制，可將回收頻率降低33%，顯著提升生命周期與穩(wěn)定性；
• 首發(fā)形態(tài)為U.2（2.5英寸），其他封裝將在2026年陸續(xù)推出。

閃迪企業(yè)SSD架構(gòu)高級(jí)總監(jiān)Mike James指出，在百TB級(jí)SSD中，數(shù)據(jù)回收是最大的挑戰(zhàn)之一，閃迪正在通過優(yōu)化架構(gòu)減少回收頻率，提升系統(tǒng)整體效率與可靠性。

SK海力士：打造AI全棧存力系統(tǒng)

SK海力士HBM業(yè)務(wù)副總裁崔俊勇在主題演講中指出：“如今的AI是一場(chǎng)功耗與算力的較量，我們正在進(jìn)入一個(gè)功耗受限的時(shí)代?！?/p>

對(duì)此，SK海力士正式發(fā)布下一代高帶寬內(nèi)存HBM4，帶寬較HBM3翻倍，功耗效率提升達(dá)40%，并可幫助AI芯片整體降低能耗、縮小數(shù)據(jù)中心規(guī)模。

SK海力士還提出“超標(biāo)準(zhǔn)（Beyond Standard）”的定制化內(nèi)存戰(zhàn)略，將與客戶聯(lián)合設(shè)計(jì)最適配的內(nèi)存解決方案，以應(yīng)對(duì)AI模型與芯片架構(gòu)的多樣化需求。

副社長(zhǎng)金千成則稱，存儲(chǔ)系統(tǒng)本身也正在重構(gòu)，推出AI優(yōu)化的AIN系列（AI NAND）產(chǎn)品，旨在應(yīng)對(duì)如網(wǎng)絡(luò)AI智能體、多用戶環(huán)境、大規(guī)模向量搜索、KB緩存復(fù)用等復(fù)雜AI場(chǎng)景下的高IOPS與高緩存需求。

未來(lái)，SK海力士計(jì)劃將HBM、超高速SSD、245TB級(jí)大容量SSD、AI芯片與XPU深度整合，構(gòu)建真正的AI全棧系統(tǒng)架構(gòu)。

三星電子：邁向AI基礎(chǔ)設(shè)施平臺(tái)公司

三星電子內(nèi)存業(yè)務(wù)副總裁林永鉉表示，公司正從數(shù)據(jù)存儲(chǔ)廠商轉(zhuǎn)型為AI基礎(chǔ)設(shè)施平臺(tái)企業(yè)。AI智能體對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的需求將遠(yuǎn)超生成式AI，包括更長(zhǎng)時(shí)間的數(shù)據(jù)保存與更復(fù)雜的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)，推動(dòng)存儲(chǔ)性能、智能化水平和延時(shí)控制全面升級(jí)。

三星宣布將在2025年下半年推出新一代CXL內(nèi)存擴(kuò)展產(chǎn)品，結(jié)合HBM與CXL，成為下一代AI系統(tǒng)性能提升的關(guān)鍵引擎。

三星還透露，支持PCIe 6.0的企業(yè)級(jí)SSD——PM1763將于明年初發(fā)布，在25W功耗下實(shí)現(xiàn)2倍性能和1.6倍能效提升。值得注意的是，三星是業(yè)內(nèi)首家完成**信號(hào)完整性裕度分析（SI Margin Analysis）**的廠商，這項(xiàng)技術(shù)可有效應(yīng)對(duì)PCIe 6.0在超高速信號(hào)傳輸中所面臨的干擾問題。形象來(lái)說，如果PCIe 6.0是“賽車”，那高速干擾就像“石子路”，SI分析就是幫你清理告訴賽道，避免系統(tǒng)“翻車”。

三星強(qiáng)調(diào)，存儲(chǔ)已不再是AI系統(tǒng)的附屬配件，而是決定推理性能、效率與可持續(xù)性的基礎(chǔ)設(shè)施核心。同時(shí)，伴隨存儲(chǔ)容量的持續(xù)擴(kuò)展，冷卻技術(shù)也正在經(jīng)歷從風(fēng)冷到液冷再到浸沒式冷卻的迭代。

崔歡歡