三星表示該技術垂直堆疊了12個DRAM芯片，它們通過60000個TSV互連，每一層的厚度僅有頭發(fā)絲的1/20。據(jù)稱這是目前最精確和最具挑戰(zhàn)性的半導體封裝技術。
三星還表示：“利用這項新技術，可以堆疊12個DRAM芯片，同時保持與現(xiàn)有8層HBM2產品相同的封裝厚度，即720μm。這對客戶來說意味著即使系統(tǒng)設計沒有任何變化，也可以生成高容量和高性能的產品?！?/p>
基于12層3D TSV技術的HBM存儲芯片將很快量產，單片容量從目前的8GB來到24GB。
