
次世代存儲(chǔ)器新突破,三星大規(guī)模量產(chǎn)28nm工藝EMRAM
三星宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)首款商用EMRAM產(chǎn)品,該產(chǎn)品基于28nm FD-SOI工藝技術(shù),并計(jì)劃在今年擴(kuò)大高密度新興的非易失存儲(chǔ)器解決方案,包括1Gb EMRAM芯片。 MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器,除了MRAM,還有eFlas...
三星宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)首款商用EMRAM產(chǎn)品,該產(chǎn)品基于28nm FD-SOI工藝技術(shù),并計(jì)劃在今年擴(kuò)大高密度新興的非易失存儲(chǔ)器解決方案,包括1Gb EMRAM芯片。 MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器,除了MRAM,還有eFlas...
半導(dǎo)體制造商GLOBALFOUNDRIES于1月25日在東京舉行了公司戰(zhàn)略新聞發(fā)布會(huì),該公司首席執(zhí)行官Douglas Grose發(fā)布了GLOBALFOUNDRIES 2010年的總結(jié)和2011年的展望。 ● 重點(diǎn)提高晶圓加工能...
三周前,甲骨文共同創(chuàng)辦人兼首席執(zhí)行官Larry Ellison首次展示SPARC SuperCluster的同時(shí),還對(duì)即將發(fā)布的SPARC T系列處理器路線圖進(jìn)行了預(yù)覽。Sparc SuperCluster是基于現(xiàn)有SPARC T3處理器的...
為提高在亞洲的晶圓代工市占率,全球晶圓(GlobalFoundries)營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)謝松輝表示,GF正快步邁進(jìn)28/20納米階段,目前在美國(guó)紐約投資興建的Fab 8晶圓廠,便以28/20納米制程為主,預(yù)計(jì)在2012年將可進(jìn)入量產(chǎn)階段,屆時(shí)每月產(chǎn)能...
服務(wù)器在線4月20日?qǐng)?bào)道 日前,IBM與其眾多合作伙伴正在制定一項(xiàng)28nm的半導(dǎo)體研究計(jì)劃。它將提供更加完善的性能、降低功能設(shè)計(jì)及更好的電池壽命,這些技術(shù)可能未來(lái)都將應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備和消費(fèi)級(jí)電子設(shè)備當(dāng)中。該聯(lián)盟一直致力于32納米的研究,現(xiàn)在也...