三星在閃存峰會上介紹了將在明年推出的高密度閃存顆粒產(chǎn)品，如今三星的V-NAND技術(shù)進化到了第五代了，進入QLC的時代，每個die的容量為128GB（1Tb），單個V-NAND封裝容量能達到2TB。同時還介紹了一種新的硬盤形態(tài)，NGSFF（注意不是NGFF），替代之前的標準M.2產(chǎn)品。
落到產(chǎn)品層面三星推出了16TB的NGSFF固態(tài)盤。基于這樣的硬盤，1U的機架放36塊16TB NGSFF能達到576TB，2U的話能到PB。
英特爾1U機架服務(wù)器就夠1PB
英特爾發(fā)布了一款叫做ruler的產(chǎn)品，開拓出一種新的form factor，這是有多討厭原來的2.5寸，3.5寸小盒子，如今各種奇形怪狀SSD產(chǎn)品真是層出不窮啊。不過，英特爾的這個東西是為機架服務(wù)器設(shè)計的，把它放進服務(wù)器里面，一臺1U的機架服務(wù)器存儲空間能達到1PB。以前的服務(wù)器要想有1PB空間，那么需要在4U的機架服務(wù)器中插滿10TB硬盤，密度提升的不止一點半點。
另外，英特爾已經(jīng)向部分客戶提供了dual-port 傲騰固態(tài)盤了，這種盤主要應用于關(guān)鍵業(yè)務(wù)領(lǐng)域，值得一提的是E8的NVMe over Fabric全閃存陣列就是基于英特爾的dual-port傲騰做的。
東芝打破SAS固態(tài)盤的記錄
東芝的新品大都用上了3D NAND，東芝的PM5系列12Gbit/s SAS SSD用了一種黑科技（four-port multilink），速度接近PCIe。值得注意的是PM5系列從400GB起步，最多能有30.72TB。性能方面，2.5寸盤隨機讀IOPS能達到40萬，順序讀寫性能能達到3.35/3.72，打破了SAS盤的新紀錄。
NVMe盤方面，東芝發(fā)布了CM5，CM5也支持多流（multi-stream）寫技術(shù)，NVMe over Fabric-ready。容量從800GB起步到15.36TB。性能方面， IOPS最高80萬隨機讀，隨機寫IOPS為24萬。
東芝還發(fā)布了一款SATA盤——SG6，SG6是SG5的升級版，采用了64層TLC，容量分為256GB，512GB還有1TB。
印象中，希捷在閃存領(lǐng)域步伐稍微慢一點，這次大會作為大贊助商展出是3D NAND芯片顆粒的產(chǎn)品。
Nytro 5000 M.2口NVMe SSD，它是XM1440的新版本，用的是3D NAND，MLC，分為容量型和耐久型兩種，容量從400GB起步最多1.92 TB。性能方面Nytro 5000最高寫IOPS能達到6.7萬。耐久性方面，支持1.5個DWPD寫五年，MTBF 200萬小時。
Nytro 3000 是dual port雙端口SAS盤，最高容量15TB，順序讀取性能能達到2.2GB/s。采用3D NAND eMLC介質(zhì)，隨著容量的提升DWPD也會有所提升。希捷的全閃存陣列RealStor 5005用的就是Nytro 3000。
希捷還發(fā)布了64TB AIC，這款卡上集成了8個PCIe控制器，采用MVMe協(xié)議，最高13GB的順序帶寬，2018年將正式推出。據(jù)了解，希捷的AIC卡上有8個M.2模塊，算起來每個M.2模塊就是8TB。
美光
美光發(fā)布新的9200 NVMe SSD，與前代的9100相比，容量從3.2TB提升到了11TB。9200分為 Eco，Pro和Max三個型號，Eco是讀優(yōu)化，Max是寫優(yōu)化，Pro處于兩者之間。產(chǎn)品形態(tài)是U.2，半高半長。采用NVMe PCIe 3.0。
從9100到9200，提升的除了容量還有性能，最高的隨機讀取IOPS從75萬，提升到了100萬,隨機寫從16萬提升到了27萬。
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