Pure Storage在發(fā)布會(huì)上還表示它們已經(jīng)設(shè)計(jì)了自身的NV-RAM盒適用于FlashArray//m，這相比FA-400系列內(nèi)部使用的SLC SSD向前邁進(jìn)了一大步，

該存儲(chǔ)系統(tǒng)在跨//m陣列所有SSD平均分配數(shù)據(jù)之前將寫(xiě)入數(shù)據(jù)放入NV-RAM。利用NV-RAM在Pure稱(chēng)為FlashCare的作用下，促進(jìn)基礎(chǔ)SSD獲得更長(zhǎng)壽命。NV-RAM在存儲(chǔ)陣列景觀里并不常見(jiàn)，其他一些先前用到它的包括許多Nexenta部署。而歷史遺留問(wèn)題是極少有NV-RAM解決方案存在。STEC曾構(gòu)建了一個(gè)稱(chēng)為ZeusRAM的固態(tài)盤(pán)，HGST繼續(xù)沿用但數(shù)量極為有限，其他廠商發(fā)布這樣的解決方案，也是限量并且價(jià)格相當(dāng)貴。這就是Pure進(jìn)行自我創(chuàng)新，擁有一個(gè)完全適用于//m陣列的客戶解決方案的原因

此外，新的NV-RAM模塊結(jié)合DDR3 DRAM和NAND閃存，兩者由超級(jí)電容器支持。因此，位于超級(jí)電容器內(nèi)部的儲(chǔ)存能量可用于支持NV-RAM模塊在突然斷電情況下的供電耗損。Pure Storage的新閃存陣列配置了高達(dá)4個(gè)這樣的熱插撥模塊，雙歸到兩個(gè)控制器并且通過(guò)NVMe功能PCIe進(jìn)行連接。

同時(shí)發(fā)布的還有FlashArray//m對(duì)非透明橋(NTB)的使用，一個(gè)點(diǎn)對(duì)點(diǎn)PCIe總線連接兩個(gè)系統(tǒng)來(lái)提供兩個(gè)子系統(tǒng)的電隔離。這也使得為確保高可用性所需的必要組件數(shù)量有所降低。Pure Storage聲稱(chēng)這將意味著布線復(fù)雜性變小控制器之間本地性能的一個(gè)改進(jìn)。

Pure Storage使用的閃存模塊化設(shè)計(jì)還考慮到了一個(gè)新的中介層(interposer)——從SATA 轉(zhuǎn)換到SAS并在每一個(gè)模塊中為兩個(gè)SSD提供接口。這不僅提高了容量，更實(shí)現(xiàn)了兩倍數(shù)量的SSD控制器使得性能有了顯著提高。SATA SSD的使用也幫助控制了//m成本。

崔歡歡