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干掉閃存 下代MRAM首次展示：快7倍

快科技 發(fā)表于：14年10月13日 09:24 [轉載] DOIT.com.cn

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[導讀]MRAM技術的讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM，當同時又是非易失性的，也就是可以斷電保存數(shù)據(jù)，等于綜合了RAM、Flash的優(yōu)點。
[責任編輯：朱朋博]
高性能計算的發(fā)展需要國家的支持和投入，也需要足夠多人口基數(shù)來關注，讓更多的人參與進來才能選出好的苗子。我們希望以此次大賽為切入點調(diào)動學生參與的積極性，通過類似精彩的比賽來吸引大家關注，不能僅限于高大上的國家項目，應該有更多更普及的應用。
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