比NAND閃存更快的存儲技術在很長時間以來都沒有用在智能手機和數(shù)據(jù)中心上，但是已經(jīng)有人在默默的做準備以期未來能更好的利用它。

在本周舉行的閃存峰會上，西數(shù)旗下的HGST就展示了被稱作全球最快的固態(tài)硬盤，這是一項先進技術成果展示。

它跟別的SSD一樣可以插到服務器的PCIe插槽，它不是什么新的產(chǎn)品，它是一個展示低延遲接口的平臺，是該公司開發(fā)的并且看做是大勢所趨的固態(tài)存儲媒介的未來形態(tài)。它在服務器的Linux驅動和固態(tài)硬盤內(nèi)置軟件上實驗了通信協(xié)議。

相變存儲是其閃存介質的核心，是一項可以讓位字節(jié)數(shù)據(jù)被主機系統(tǒng)多次使用并且速度比NAND更快的新興技術，日立公司固態(tài)硬盤產(chǎn)品營銷副總裁烏爾里希·漢森介紹道。NAND閃存在70微秒內(nèi)對數(shù)據(jù)請求作出響應，而PCM只需要大約1微秒，但是還需要兩到三年的研發(fā)時間來增加密度并且變得更加便宜，從而獲得更好的競爭力。

至少還有兩項別的技術也在努力做到比閃存更快、更具有耐用性。那就是RRAM(電阻性隨機存取存儲器)和MRAM(磁RAM)。雖然有像PCM這樣的低延遲技術，但是當前在系統(tǒng)和內(nèi)存之間的接口并不會受益于此。即使是新興的NVMe接口正在成為閃存的標準化高速連接，也將會取代新一代的媒介加速器成為瓶頸。

“之所以選擇相變存儲那是因為它對于我們可用并且有合適的架構” 漢森說“我們真的不只是押注哪項新興的技術將會成為主流”。

相變存儲把數(shù)據(jù)存儲在類似玻璃化合物的名為硫屬化物的容器中，當加入電壓之后它可以從氣態(tài)轉化為晶體形態(tài)做出反應。當然他們還在嘗試添加一個液體狀態(tài)，這一中間狀態(tài)用來表示0和1的二進制數(shù)據(jù)。更多的存儲介質狀態(tài)可以讓單位空間攜帶更多的信息。

（圖片來源于網(wǎng)絡）

HGST的接口運行于標準PCIe的頂端，可以在很長時間內(nèi)滿足閃存到電腦處理器的數(shù)據(jù)傳輸速度需求。高級接口主要涉及到一個命令如何傳輸和初始化，服務器又是如何知道傳輸?shù)耐瓿�。HGST并沒有明確要打敗NVMe的意思也不一定會公開他標準的低延遲技術。

同樣是在在閃存峰會上，HGST介紹了FlashMAX III PCIe加速卡，第三代服務器閃存卡可加速服務器和一些應用程序，ServerCache，用軟件把SSD做成緩存的緩存池。ServerCache是HGST收購Velobit之后獲得的一項減少數(shù)據(jù)量、提高效率的技術。FlashMAX III將于本季度正式發(fā)售，ServerCache提供30天的試用下載，每臺物理機器上使用都需要995美元。