東芝和閃迪將聯(lián)合生產(chǎn)3D NADA閃存芯片，新的芯片可以提高固態(tài)硬盤(pán)存儲(chǔ)密度和性能表現(xiàn).

3D NAND芯片為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)空間的提升提供了新的方式，預(yù)計(jì)將會(huì)出現(xiàn)容量超過(guò)1TB的嵌入式閃存，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)在智能手機(jī)和平板電腦目前使用的64GB閃存。

不同于傳統(tǒng)法平面NAND技術(shù)，3D NAND堆疊了晶圓，它們陣列中垂直連接。

早在去年，三星就已經(jīng)開(kāi)始生產(chǎn)叫做V-NAND的3D NAND芯片。三星官方聲稱(chēng)可提升2至10倍的可靠性和兩倍的寫(xiě)入性能。三星的V-NAND采用CTF技術(shù)�？煽s放20納米級(jí)平面NAND閃存芯片達(dá)兩倍以上。

三星將3D V-NAND廣泛用用于消費(fèi)電子和企業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域，包括嵌入式NAND存儲(chǔ)和固態(tài)硬盤(pán)（SSD）的。這一技術(shù)的應(yīng)用直接使得固態(tài)硬盤(pán)的容量從128GB升級(jí)到到1TB。

東芝公司表示，他們還將根據(jù)市場(chǎng)反映做生產(chǎn)商的調(diào)整。